на первый
заказ
Реферат на тему: Легирование выращенных кристаллов. Легирование объемных кристаллов из жидкой фазы
Введение
Для изготовления многих полупроводниковых приборов необходим легированный материал. Возможны следующие способы легирования: 1) легирование уже выращенных кристаллов; 2) легирование кристаллов в процессе выращивания из жидкой фазы; 3) легирование кристаллов в процессе выращивания из газовой фазы.Легирование выращенных кристаллов осуществляется методом диффузии примеси из внешней газовой, жидкой или твердой фаз, методом радиационного легирования и методом ионной имплантации. Метод диффузии в технологии производства объемных легированных материалов не получил распространения из-за малых скоростей диффузии в кристаллах. Тем не менее сами процессы диффузии играют большую роль в технологии получения и обработки полупроводниковых материалов и создании приборов на их основе.
Оглавление
- Легирование выращенных кристаллов.- Легирование объемных кристаллов из жидкой фазы.
- Методы выравнивания состава вдоль кристалла.
- Пассивные методы выравнивания состава.
- Активные методы выравнивания состава кристаллов.
- Механическая подпитка расплава.
- Изменение условий выращивания.
- Растворимость примесей.
- Взаимодействие примесей, связанное с электронно-дырочным равновесием.
- Взаимодействие между примесными ионами, приводящее к образованию нейтральных пар, устойчивых при низких температурах.
- Взаимодействие между примесными ионами, приводящее к образованию комплексов, устойчивых в широком интервале температур.
- Список литературы.
Список литературы
- ) Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и металловедение. - М.- ) Медведев С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов. - М.: Высшая школа.
- ) Омельяновский Э.М., Фистуль В.И. Примеси переходных металлов в полупроводниках. - М.
- ) Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. - М.: Высшая школа.
- ) Остробородова В.В. Основы технологии и материаловедения полупроводников. - М.: Изд. Моск. ун-та.
или зарегистрироваться
в сервисе
удобным
способом
вы получите ссылку
на скачивание
к нам за прошлый год